飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀是一種既能測(cè)試有機(jī)物，又能測(cè)試無機(jī)物的一種檢測(cè)儀器，使用一次的離子源(Ga,Cs, O2, etc)轟擊樣品，產(chǎn)生二次離子，激發(fā)的二次離子被引入一個(gè)無場(chǎng)區(qū)(drift tube),自由飛行，飛行時(shí)間的長(zhǎng)短，與離子的mass-to-charge ratio的二分之一此方成正比；也就是說，質(zhì)量數(shù)越小的離子飛得越快，到達(dá)檢測(cè)器的時(shí)間越短，反之，質(zhì)量數(shù)越大的離子飛得越慢，到達(dá)檢測(cè)器的時(shí)間越長(zhǎng)，這樣就可以實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜的分離。
 

　　飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
 

　　1. 優(yōu)異的摻雜劑和雜質(zhì)檢測(cè)靈敏度?？梢詸z測(cè)到ppm或更低的濃度
 

　　2. 深度剖析具有良好的檢測(cè)限制和深度辨析率
 

　　3. 小面積分析(10 µm 或更大)
 

　　4. 檢測(cè)包含H在內(nèi)的元素及同位素
 

　　5. 優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍(6 orders of magnitude)
 

　　6. 在某些應(yīng)用中可能用來做化學(xué)計(jì)量/組成成份
 

　　飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的主要用途：
 

　　1. 摻雜劑與雜質(zhì)的深度剖析
 

　　2. 薄膜的成份及雜質(zhì)測(cè)定 (金屬、電介質(zhì)、鍺化硅 、III-V族、II-V族)
 

　　3. 超薄薄膜、淺植入的較高深度辨析率剖析
 

　　4. 硅材料整體分析，包含B, C, O,以及N
 

　　5. 工藝工具(離子植入)的高精度分析