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TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物，藥物，超導體，半導體，合金，光學和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm。

離子分析質(zhì)譜儀/飛行時間二次離子質(zhì)譜儀可分析來自固體樣品的二次陰、陽離子和中性粒子。采用技術(shù)的SIMS 探針，便于連結(jié)到現(xiàn)有的UHV表面科學研究反應室。

二次離子質(zhì)譜儀適合做多層薄膜的深度分析,可以做元素成像和混合模式掃描，自動測量正、負和中性粒子。

MAXIM 二次離子濺射中性粒子質(zhì)譜儀可分析二次陰、陽離子動態(tài)和中性粒子，所具備的的30°接受角可形成樣品粒子平面，應用于SIMS和SNMS的光學采樣。 ·光柵控制，增強深度分析能力 ·所有能量范圍內(nèi)，離子行程的小擾動，及恒定離子傳輸 ·靈敏度高 / 穩(wěn)定的脈沖離子計數(shù)檢測器